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更新時(shí)間：2024-01-30 
瀏覽次數(shù)：264HPGe
由于 QC 實(shí)驗(yàn)室的樣品量非常小，我們選擇了高純度鍺 (HPGe) 阱探測(cè)器，該探測(cè)器可提供高效率，因?yàn)闃悠穼?shí)際上被有源探測(cè)器材料包圍。
孔檢測(cè)器采用盲孔制造，在孔底部留下至少 15 mm 的有源檢測(cè)器厚度，并接近 4π 計(jì)數(shù)幾何形狀。
端蓋中的井插入件由鋁制成，側(cè)壁厚度為 0.5 毫米，底部厚度為 1 毫米。與 0.5 mm 的鋁相比，探測(cè)器元件上的離子注入觸點(diǎn)薄到可以忽略不計(jì)，因此這些探測(cè)器本質(zhì)上具有良好的低能量響應(yīng)，允許光譜低至 20 keV。
由于鍺具有相對(duì)較低的帶隙，因此必須冷卻這些探測(cè)器以減少載流子的熱生成。
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